首页 /半导体器件精密清洗及LED制造装备项目

半导体器件精密清洗及LED制造装备项目

审批

安徽-滁州-全椒县

发布时间： 2026年10月26日

项目详情

下文中****为隐藏内容，仅对千里马会员开放，如需查看完整内容请或拨打咨询热线： 400-688-2000

1、建设项目基本信息

企业基本信息

建设单位名称：建设单位代码类型：建设单位机构代码：建设单位法人：建设单位联系人：建设单位所在行政区划：建设单位详细地址：

****
****1124MAD7ELYB7G	宣步行
张波	******县
省市**县十谭产业园

建设项目基本信息

项目名称：项目代码：项目类型：建设性质：行业类别（分类管理名录）：行业类别（国民经济代码）：工程性质：建设地点：中心坐标： ****机关：环评文件类型：环评批复时间：环评审批文号：本工程排污许可证编号：排污许可批准时间：项目实际总投资(万元)：项目实际环保投资(万元)：运营单位名称：运营单位组织机构代码：验收监测(调查)报告编制机构名称：验收监测(调查)报告编制机构代码：验收监测单位：验收监测单位组织机构代码：竣工时间：调试起始时间：调试结束时间：验收报告公开起始时间：验收报告公开结束时间：验收报告公开形式：验收报告公开载体：

半导体器件精密清洗及LED制造装备项目	****

2021版本:067-	C3360-C3360-金属表面处理及热处理加工
	****县 ****县
经度:118.261389 纬度: 32.164444	******分局
	2025-03-17
全环评〔2025〕12号	****1124MAD7ELYB7G001Q
2025-12-08	12000
163	****
****1124MAD7ELYB7G	******公司
913********99780XY	******公司
913********99780XY	2026-01-28

2026-09-20	2026-10-23
	https://www.****.com/gs/

2、工程变动信息

项目性质

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

**半导体器件精密清洗及 LED 制造装备项目租赁县十谭产业园A7栋标准化厂房，建筑面积 6552平方米，项目达产后可形成年产40万件铝合金配件、48000件阳极氧化处理件、40万件半导体器件精密清洗件和10000件芯片机械传动设备维修件的规模。	**半导体器件精密清洗及 LED 制造装备项目租赁县十谭产业园A7栋标准化厂房，建筑面积 6552平方米，项目已阶段性建成，本次验收产能为年产40万件铝合金配件、40万件半导体器件精密清洗件和10000件芯片机械传动设备维修件。
无变动

规模

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

年产40万件铝合金配件、48000件阳极氧化处理件、40万件半导体器件精密清洗件和10000件芯片机械传动设备维修件	年产40万件铝合金配件、40万件半导体器件精密清洗件和10000件芯片机械传动设备维修件
无变动

生产工艺

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

铝合金配件工艺流程：①机加工（外协）：铝合金材料需先经过机加工处理后**装备部件组装所需的零部件，将工件置入数控机床进行加工，通过数控机床中程序控制系统，自动完成零件的加工。加工过程中添加切削液对设备和工件进行降温和冷却，切削液与水的比例约1：20，切削液循环使用，定期更换（每两个月更换一次），更换下的废切削液收集后交由有资质单位处置。 ②脱脂、水洗：本项目采用碱洗方式去除工件表面油污。脱脂槽液由氢氧化钠与纯水按比率配兑而成，主要是通过皂化反应去除油脂。氢氧化钠与油脂发生皂化反应，生成肥皂和甘油，这些产物易溶于水，从而达到去油的目的。脱脂槽内定期补充化学试剂，日常循环使用，脱脂槽生产中会产生槽渣，槽渣每两周清理一次，更换下的废槽液收处理站集中处理。脱脂后，流水线上铝件进入水洗槽进行脱脂水洗，在水中浸没10秒钟去除表面脱脂液；水洗使用纯水，不需加热；槽内水不定期添加，定期更换（每五天更换一次），更换后有废水产生，废水收处理站集中处理。产污环节：脱脂过程中会产生脱脂废液（S1-4）、脱脂槽渣（S1-5）、脱脂后清洗废水（W1-1）。 ③烘干：部件用纯水浸泡后进入干燥箱（电加热）进行预干燥，去除表面水汽，以利于下工序作业（预干燥工艺：90±10℃，30-60min）。 ④保护：对部件无需喷砂处理部位使用胶带进行保护。 ⑤喷砂：将保护好的工件送入喷砂机内，利用空压机产生的压缩空气驱动喷砂料（主要成分为氧化铝砂）经过喷砂机内的喷枪在密闭的喷砂机内对零部件表面进行均匀化处理的过程。目的使零件表面光滑、光亮、美观。产污环节：此过程产生喷砂废气（G1-2），废砂料（S1-6）。 ⑥去毛刺：喷砂完成后对其保护胶带去除，使用锉刀去除喷砂边缘处毛刺，同时对变形及尺寸不合格的进行矫正。产污环节：此过程中会产生金属屑（S1-7） ⑦ARC熔射：部分零部件根据产品要求，需进行熔射处理，按照工艺流程单规定的工艺参数进行熔射机的参数设定并进行融射作业，其工作原理为：将两条各自带有正电负电的相同金属接触产生电弧，瞬间产生高热将金属材融化。再经高压空气吹细雾化，带送吹向底材（或工件），堆积、凝固成涂层或膜厚。熔射材料为铝丝。产污环节：此过程产生熔射废气（G1-3）。 ⑧检测：作业完成后对熔射涂层粗糙程度进行评估测量，测量数据是否能达到标准要求，流入下工序进行检查矫正。 ⑨高压冲洗：在一定的工艺压力下，对零部件进行粗清洗，去除表面颗粒，高压冲洗使用纯水，不需加热；槽内水不定期添加，定期更换（每五天更换一次），废处理站集中处理。产污环节：高压冲洗产生清洗废水（W1-2）。 ⑩超声波清洗：上道工序冲洗后的产品，需进一步进行超声波清洗，超声波清洗使用纯水，不需加热；槽内水不定期添加，定期更换（每五天更换一次），废处理站集中处理。产污环节：超声波清洗产生清洗废水（W1-3）。 ⑾吹干：根据各工艺流程单工艺参数规定，进行工件最后吹干，吹干采用电加热吹风方式。 ⑿组装、QC检验：依标准图纸进行产品组装，组装时注意组件的方向性。组装完成后形成半导体部件，由QC进行外观及尺寸数据方面的检查确认，在检验过程中，如发现污渍，则需根据污渍种类使用溶剂（酒精、丙酮、异丙醇）擦拭，会产生有机废气。产污环节：此过程中产生有机废气（G1-4）和废抹布手套（S1-8）。 ⒀包装出货：采用真空包装（两层），根据工艺流程单客户类别、装置、膜质等归类用缓冲材气垫膜捆包后装箱发货。产污环节：在此过程中产生废包装材料（S1-9）。半导体器件精密清洗件生产工艺流程：半导体器件精密清洗件生产工艺流程与铝合金配件的生产工艺流程相比增加了除膜和中和工序，其他处理工序工艺相同，此处仅介绍除膜和中和工艺流程，相同工序不再赘述。 ①拆解：半导体器件清洗前首先对部品进行手动拆解，为保证对每个部件能够进行有效清洗。 ②保护：除膜前，对工件中无需除膜部位使用耐酸碱胶带进行保护。 ③除膜：把硝酸、氢氧化钾、双氧水/氨水等按照技术要求配制成相应浓度的溶液，然后把零件放在除膜槽内浸泡1-2h，去除表面残碱、钙镁离子等。 A、氢氧化钾溶液用于去除低碳钢表面的铝膜，化学方程式如下：氢氧化钾与铝反应生成偏铝酸钾，偏铝酸钾溶于水中，随处理站。 B、双氧水、氨水的混合溶液用于去除低碳钢表面的钛、氮化钛膜层，氨水作为碱性环境，增强了双氧水的氧化性，将钛、氮化钛氧化，从而去除膜层。生成的化学物质进入混合溶液中，随处理站。 C、稀硝酸溶液用于去除铝材表面的铝膜，化学方程式如下：铝与稀硝酸反应生成硝酸铝，Al（NO3）3溶于水中，随液洗溶液作为危废，委托处置。 D、氢氟酸用于去除低碳钢表面的二氧化硅膜层，化学反应过程如下： SiF4溶解与硝酸溶液中，不外逸，随液洗溶液作为危废，委托处置。产污环节：此工序中会产生除膜废气（G2-1）、除膜废槽液（S2-1）、废槽渣（S2-2）及废化学品包装桶（S2-3）。 ④中和、水洗：除膜后对残留在工件表面的清洗液进行浸泡稀释并中和去除，硝酸浓度约为130g/L左右，氢氟酸浓度约为50g/L左右，槽液温度40℃左右，铝件浸没在中和槽液内时间约为1分钟；中和槽内定期补充化学试剂，日常循环使用，中和槽生产中会产生槽渣，槽渣每两周清理一次。槽液定期更换（每半年更换一次），更换下的废槽液作为危废，委托有处置。中和后，工件进入水洗槽进行水洗，在水中浸没10秒钟去除表面化抛液；水洗使用纯水，不需加热；槽内水不定期添加，清洗槽液定期更换（每五天更换一次），更换后有废水产生，废水收**处理站集中处理。产污环节：中和过程中会产生中和废气（G2-2）、中和废槽液（S2-4）、中和废槽渣（S2-5）、中和后清洗废水（W2-1）。 ⑤喷砂、ARC熔射、组装、包装出货：喷砂、ARC熔射、组装、包装出货在上文介绍，此处不再赘述。半导体芯片机械传动设备维修及改造生产工艺流程：客户损坏的半导体芯片机械传动设备，送厂后先进行检测，确定故障原因然后进行维修，维修后对设备再次检测，确定故障修复后，打包发货。维修过程中会产生焊接烟尘（G3-1），废润滑油（S3-1），废抹布手套（S3-2）。	铝合金配件工艺流程：①机加工（外协）：铝合金材料需先经过机加工处理后**装备部件组装所需的零部件，将工件置入数控机床进行加工，通过数控机床中程序控制系统，自动完成零件的加工。加工过程中添加切削液对设备和工件进行降温和冷却，切削液与水的比例约1：20，切削液循环使用，定期更换（每两个月更换一次），更换下的废切削液收集后交由有资质单位处置。 ②脱脂、水洗：本项目采用碱洗方式去除工件表面油污。脱脂槽液由氢氧化钠与纯水按比率配兑而成，主要是通过皂化反应去除油脂。氢氧化钠与油脂发生皂化反应，生成肥皂和甘油，这些产物易溶于水，从而达到去油的目的。脱脂槽内定期补充化学试剂，日常循环使用，脱脂槽生产中会产生槽渣，槽渣每两周清理一次，更换下的废槽液收处理站集中处理。脱脂后，流水线上铝件进入水洗槽进行脱脂水洗，在水中浸没10秒钟去除表面脱脂液；水洗使用纯水，不需加热；槽内水不定期添加，定期更换（每五天更换一次），更换后有废水产生，废水收处理站集中处理。产污环节：脱脂过程中会产生脱脂废液（S1-4）、脱脂槽渣（S1-5）、脱脂后清洗废水（W1-1）。 ③烘干：部件用纯水浸泡后进入干燥箱（电加热）进行预干燥，去除表面水汽，以利于下工序作业（预干燥工艺：90±10℃，30-60min）。 ④保护：对部件无需喷砂处理部位使用胶带进行保护。 ⑤喷砂：将保护好的工件送入喷砂机内，利用空压机产生的压缩空气驱动喷砂料（主要成分为氧化铝砂）经过喷砂机内的喷枪在密闭的喷砂机内对零部件表面进行均匀化处理的过程。目的使零件表面光滑、光亮、美观。产污环节：此过程产生喷砂废气（G1-2），废砂料（S1-6）。 ⑥去毛刺：喷砂完成后对其保护胶带去除，使用锉刀去除喷砂边缘处毛刺，同时对变形及尺寸不合格的进行矫正。产污环节：此过程中会产生金属屑（S1-7） ⑦ARC熔射：部分零部件根据产品要求，需进行熔射处理，按照工艺流程单规定的工艺参数进行熔射机的参数设定并进行融射作业，其工作原理为：将两条各自带有正电负电的相同金属接触产生电弧，瞬间产生高热将金属材融化。再经高压空气吹细雾化，带送吹向底材（或工件），堆积、凝固成涂层或膜厚。熔射材料为铝丝。产污环节：此过程产生熔射废气（G1-3）。 ⑧检测：作业完成后对熔射涂层粗糙程度进行评估测量，测量数据是否能达到标准要求，流入下工序进行检查矫正。 ⑨高压冲洗：在一定的工艺压力下，对零部件进行粗清洗，去除表面颗粒，高压冲洗使用纯水，不需加热；槽内水不定期添加，定期更换（每五天更换一次），废处理站集中处理。产污环节：高压冲洗产生清洗废水（W1-2）。 ⑩超声波清洗：上道工序冲洗后的产品，需进一步进行超声波清洗，超声波清洗使用纯水，不需加热；槽内水不定期添加，定期更换（每五天更换一次），废处理站集中处理。产污环节：超声波清洗产生清洗废水（W1-3）。 ⑾吹干：根据各工艺流程单工艺参数规定，进行工件最后吹干，吹干采用电加热吹风方式。 ⑿组装、QC检验：依标准图纸进行产品组装，组装时注意组件的方向性。组装完成后形成半导体部件，由QC进行外观及尺寸数据方面的检查确认，在检验过程中，如发现污渍，则需根据污渍种类使用溶剂（酒精、丙酮、异丙醇）擦拭，会产生有机废气。产污环节：此过程中产生有机废气（G1-4）和废抹布手套（S1-8）。 ⒀包装出货：采用真空包装（两层），根据工艺流程单客户类别、装置、膜质等归类用缓冲材气垫膜捆包后装箱发货。产污环节：在此过程中产生废包装材料（S1-9）。半导体器件精密清洗件生产工艺流程：半导体器件精密清洗件生产工艺流程与铝合金配件的生产工艺流程相比增加了除膜和中和工序，其他处理工序工艺相同，此处仅介绍除膜和中和工艺流程，相同工序不再赘述。 ①拆解：半导体器件清洗前首先对部品进行手动拆解，为保证对每个部件能够进行有效清洗。 ②保护：除膜前，对工件中无需除膜部位使用耐酸碱胶带进行保护。 ③除膜：把硝酸、氢氧化钾、双氧水/氨水等按照技术要求配制成相应浓度的溶液，然后把零件放在除膜槽内浸泡1-2h，去除表面残碱、钙镁离子等。 A、氢氧化钾溶液用于去除低碳钢表面的铝膜，化学方程式如下：氢氧化钾与铝反应生成偏铝酸钾，偏铝酸钾溶于水中，随处理站。 B、双氧水、氨水的混合溶液用于去除低碳钢表面的钛、氮化钛膜层，氨水作为碱性环境，增强了双氧水的氧化性，将钛、氮化钛氧化，从而去除膜层。生成的化学物质进入混合溶液中，随处理站。 C、稀硝酸溶液用于去除铝材表面的铝膜，化学方程式如下：铝与稀硝酸反应生成硝酸铝，Al（NO3）3溶于水中，随液洗溶液作为危废，委托处置。 D、氢氟酸用于去除低碳钢表面的二氧化硅膜层，化学反应过程如下： SiF4溶解与硝酸溶液中，不外逸，随液洗溶液作为危废，委托处置。产污环节：此工序中会产生除膜废气（G2-1）、除膜废槽液（S2-1）、废槽渣（S2-2）及废化学品包装桶（S2-3）。 ④中和、水洗：除膜后对残留在工件表面的清洗液进行浸泡稀释并中和去除，硝酸浓度约为130g/L左右，氢氟酸浓度约为50g/L左右，槽液温度40℃左右，铝件浸没在中和槽液内时间约为1分钟；中和槽内定期补充化学试剂，日常循环使用，中和槽生产中会产生槽渣，槽渣每两周清理一次。槽液定期更换（每半年更换一次），更换下的废槽液作为危废，委托有处置。中和后，工件进入水洗槽进行水洗，在水中浸没10秒钟去除表面化抛液；水洗使用纯水，不需加热；槽内水不定期添加，清洗槽液定期更换（每五天更换一次），更换后有废水产生，废水收**处理站集中处理。产污环节：中和过程中会产生中和废气（G2-2）、中和废槽液（S2-4）、中和废槽渣（S2-5）、中和后清洗废水（W2-1）。 ⑤喷砂、ARC熔射、组装、包装出货：喷砂、ARC熔射、组装、包装出货在上文介绍，此处不再赘述。半导体芯片机械传动设备维修及改造生产工艺流程：客户损坏的半导体芯片机械传动设备，送厂后先进行检测，确定故障原因然后进行维修，维修后对设备再次检测，确定故障修复后，打包发货。维修过程中会产生焊接烟尘（G3-1），废润滑油（S3-1），废抹布手套（S3-2）。
无变动

环保设施或环保措施

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

1、落实《报告书》中提出的废水处理措施。本项目采用雨污分流的排水机制，雨水排入雨水管道。废水主要为阳极氧化线清洗废水、半导体器件精密清洗线清洗废水、硫酸雾碱喷淋废水、纯水设备清洗废水、地面冲洗废水、纯水制备废水和生活污水。半导体器件精密清洗线中除膜、中和后的清洗废水单独收集进行预处理后，与其他生产**处理站处理。生活污水经化粪池处理后，汇同纯水制备废水和处理后的生产废水一起通过市政污开发区污水处理厂处理。项目废水满足《污水综合排放标准》（GB 8978-1996）三级和《电镀水污染物排放标准》（DB34/4966-2024）表1中间接排放浓度限值（其中总铝、总铁执行表1中直接排放浓度限值、氟化物≤1mg/L》）。废水排放口安装在线监控。 2、落实《报告书》中提出的废气处理措施，规范废气排放口。项目产生的废气主要为机加工有机废气、擦拭有机废气、危废库有机废气、阳极氧化线酸性废气、半导体器件精密清洗线酸性废气、焊接废气、喷砂废气、ARC熔射废气。擦拭有机废气、危废库有机废气车间密闭收集+二级活性炭+27米高排气筒（DA001），机加工有机废气密闭收集+油雾净化器+27米高排气筒（DA001）；阳极氧化线酸性废气、半导体器件精密清洗线酸性废气+槽边吸风+顶集气罩+生产线线封闭整体抽排风+碱液喷淋器中和+27米高排气筒（DA002）；喷砂废气密闭收集、焊接颗粒物集气罩收集+布袋过滤器+27米高排气筒（DA003）； ARC熔射废气设备密闭收集+布袋过滤器+27米高排气筒（DA004）。本项目机加工、擦拭以及危废库产生的非甲烷总烃有组织排放执行《大气污染物综合排放标准》（GB 16297-1996）表2二级标准浓度限值；厂界非甲烷总烃无组织排放执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2中无组织排放监控浓度限值要求；厂区内非甲烷总烃无组织排放执行《挥发性有机物无组织排放控制标准》（GB 37822-2019）表A.1限值；阳极氧化及清洗工序生产过程产生的硫酸雾、硝酸雾（以NOx计）、氟化物、氯化氢排放执行《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表5中污染物排放限值，阳极氧化线排气量执行《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表6中单位产品基准排气量，硫酸雾、硝酸雾（以NOX 计）、氟化物、氯化氢无组织排放限值参照执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2中无组织排放监控浓度限值要求；氨执行《恶臭污染物排放标准》（GB14544-93）表1企业厂界标准的二级标准限值及表2中排放标准限值；喷砂、ARC熔射以及焊接工序生产过程产生的颗粒物排放执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2中二级标准限值及无组织排放监控浓度限值要求。 3、合理布置高噪声设备；选用低噪声设备；采取消音、隔声等措施进行噪声治理，确保厂界噪声达到《工业企业厂界噪声标准》（12348-2008） 3类标准。 4、加强危废管理和固体废弃物综合利用。废槽渣、污水处理站污泥，废离子交换树脂、废润滑油、废切削液、废活性炭、废化学品包装、废耐酸碱胶带、废抹布手套等危废，建设单位应按照国家《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）的要求，设置符合规范要求的危险废物贮存设施进行厂内暂存。并委托有资质单位处理。其他一般周废妥善处理。生活垃圾由环卫部门定期清运。	1、厂区内实行雨污分流，雨水排入雨水管道。废水主要为半导体器件精密清洗线清洗废水、硫酸雾碱喷淋废水、纯水设备清洗废水、地面冲洗废水、纯水制备废水和生活污水。半导体器件精密清洗线清洗废水、硫酸雾碱喷淋废水、纯水设备清洗废水、地面冲洗**处理站（调pH +一级混凝沉淀+斜板沉淀）处理，生活污水经化粪池处理后，汇同纯水制备废水和处理后的生产废水一起通过市政处理厂处理。经监测，项目废水排放均符合相关标准限值要求。 2、擦拭废气集气罩收集、危废库废气经密闭收集，合并经二级活性炭装置处理后，通过一根27m高排气筒（DA001）排放；清洗线产生的酸性废气经密闭负压收集，经碱液喷淋塔处理后，通过一根27m高排气筒（DA002）排放；喷砂废气密闭负压收集经设备自带滤筒除尘器处理后，与经集气罩收集的焊接废气合并通过一套布袋过滤器装置处理后，通过一根27m高排气筒（DA003）排放；ARC熔射废气密闭收集经布袋过滤器装置处理后，通过一根27m高排气筒（DA004）排放；项目无组织废气主要为未收集的生产工序废气，采取加强生产管理和设备维修，提高废气收集率和处理率，厂区绿化等措施。经监测，项目废气排放均符合相关标准限值要求。 3、采取选用低噪声设备、合理布局、基础减振、消声、厂房隔声等措施进行噪声治理，经监测厂界噪声符合《工业企业厂界噪声标准》（12348-2008）3类标准。 4、酸性废槽液、废槽渣、污水处理站污泥收集后暂存于危废暂存间定期委托处理，废润滑油、废活性炭、废化学品包装、废耐酸碱胶带等危废收集后暂存于危废暂存间，定期委托市正源****公司处理。不合格产品、废包装材料、除尘器集尘集中收集后外售，纯水制备设备产生的废树脂、废活性炭、废渗透膜定期跟换后由厂家回收。生活垃圾由环卫部门定期清运，废抹布手套混入生活垃圾由环卫部门定期清运
环评及批复要求本项目建有预处理装置（处理工艺为调pH +二级混凝沉淀）、污水处理站（处理工艺为调pH +二级混凝沉淀+斜板沉淀+离子交换树脂）。半导体器件精密清洗线中除膜、中和后的清洗废水单独收集进行预处理后，与其他生产**处理站处理后，通过市政污开发区污水处理厂处理。实际情况为：因阳极氧化处理件生产线暂未建设，本次验收范围未建预处理装置、污水处理站废水处理工艺为调pH +混凝沉淀+斜板沉淀。生产处理站处理后，通过市政污开发区污水处理厂处理。 2、环评要求更换下的废槽液收处理站处理。实际为更换下的酸性废槽液作为危废定期委托有资质单位处置，其他废槽液收**处理站处理。 3、环评批复要求喷砂废气密闭收集+布袋过滤器+27米高排气筒（DA003）排放。实际为喷砂废气密闭负压收集经设备自带滤筒除尘器处理后，再经一套布袋过滤器装置处理后，通过一根27m高排气筒（DA003）排放； 4、环评及环评批复要求半导体器件精密清洗线酸性废气收集方式为槽边吸风+顶集气罩+生产线线封闭整体抽排风，实际为清洗线产生的酸性废气采用密闭负压收集。 5、环评及环评批复要求擦拭废气密闭收集，实际生产过程中因项目擦拭工序为人工手持擦拭作业，工件需频繁上料、下料及翻转，因此采用集气罩收集。

其他

环评文件及批复要求：实际建设情况：变动情况及原因：是否属于重大变动：是否重新报批环境影响报告书(表)文件：

1、严格落实《报告书》提出的环境风险防范措施。本项目**200m3事故应急池，收集事故废水，雨水排口、污水总排口应配备截止阀，确保事故废水不直接排入地表水体。编制事故应急预案，并报生态环境部门备案，强化风险意识，建立完善风险防范体系，加强安全管理，杜绝发生活染事故。 2、按《报告书》要求，结合大气环境防护距离、卫生防护距离、风险防控距离综合考虑，项目以厂界外设置100m环境防护距离，环境防护距离内不得建设敏感建筑。	1、项目容积为180m3事故应急池，用于收集事故废水，雨水排口、污水总排口配有截止阀，确保事故废水不直接排入地表水体。2026年8月5日公司制定了《突发环境事件应急预案》，并报**分局备案，备案编号为341124-2026-042-M。 2、经现场勘察，项目位于县十谭产业园A7栋标准化厂房内，环境防护距离内无居民区、学校、医院、行政办公和科研等环境敏感目标，环境防护距离满足要求。
环评及环评批复要求企业建有200m3事故应急池，因阶段性验收实际事故应急池容积为180m3

3、污染物排放量

污染物现有工程（已建成的）本工程（本期建设的）总体工程总体工程（现有工程+本工程）排放方式实际排放量实际排放量许可排放量 “以新带老”削减量区域平衡替代本工程削减量实际排放总量排放增减量废水水量（万吨/年） COD（吨/年）氨氮（吨/年）总磷（吨/年）总氮（吨/年）废气气量（万立方米/年）二氧化硫（吨/年）氮氧化物（吨/年）颗粒物（吨/年）挥发性有机物（吨/年）

0	0	0	0
0.132	0.665	0.132	0.132
0.0016	0.066	0.002	0.002
0	0	0	0
0	0	0	0
0	0	0	0	/
0	0	0	0	/
0.1796	0.956	0.18	0.18	/
0.125	0.169	0.125	0.125	/
0.785	0.159	0.785	0.785	/

4、环境保护设施落实情况

表1 水污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

半导体器件精密清洗线中除膜、中和后的清洗废水单独收集进行预处理后，与其他生产****处理站处理。生活污水经化粪池处理后，汇同纯水制备废水和处理后的生产废水一起通过市政污****开发区污水处理厂处理。

《污水综合排放标准》（GB 8978-1996）三级和《电镀水污染物排放标准》（DB34/4966-2024）表1中间接排放浓度限值（其中总铝、总铁执行表1中直接排放浓度限值、氟化物≤1mg/L》）。

半导体器件精密清洗线清洗废水、硫酸雾碱喷淋废水、纯水设备清洗废水、地面冲洗****处理站（调pH +一级混凝沉淀+斜板沉淀）处理，生活污水经化粪池处理后，汇同纯水制备废水和处理后的生产废水一起通过市政****处理厂处理。

经监测，项目废水排放均符合相关标准限值要求

表2 大气污染治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

擦拭有机废气、危废库有机废气车间密闭收集+二级活性炭+27米高排气筒（DA001），机加工有机废气密闭收集+油雾净化器+27米高排气筒（DA001）；阳极氧化线酸性废气、半导体器件精密清洗线酸性废气+槽边吸风+顶集气罩+生产线线封闭整体抽排风+碱液喷淋器中和+27米高排气筒（DA002）；喷砂废气密闭收集、焊接颗粒物集气罩收集+布袋过滤器+27米高排气筒（DA003）； ARC熔射废气设备密闭收集+布袋过滤器+27米高排气筒（DA004）。

本项目机加工、擦拭以及危废库产生的非甲烷总烃有组织排放执行《大气污染物综合排放标准》（GB 16297-1996）表2二级标准浓度限值；厂界非甲烷总烃无组织排放执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2中无组织排放监控浓度限值要求；厂区内非甲烷总烃无组织排放执行《挥发性有机物无组织排放控制标准》（GB 37822-2019）表A.1限值；阳极氧化及清洗工序生产过程产生的硫酸雾、硝酸雾（以NOx计）、氟化物、氯化氢排放执行《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表5中污染物排放限值，阳极氧化线排气量执行《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表6中单位产品基准排气量，硫酸雾、硝酸雾（以NOX 计）、氟化物、氯化氢无组织排放限值参照执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2中无组织排放监控浓度限值要求；氨执行《恶臭污染物排放标准》（GB14544-93）表1**企业厂界标准的二级标准限值及表2中排放标准限值；喷砂、ARC熔射以及焊接工序生产过程产生的颗粒物排放执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2中二级标准限值及无组织排放监控浓度限值要求。

经监测，项目废气排放均符合相关标准限值要求。

表3 噪声治理设施

序号设施名称执行标准实际建设情况监测情况达标情况

合理布置高噪声设备；选用低噪声设备；采取消音、隔声等措施进行噪声治理

《工业企业厂界噪声标准》（12348-2008） 3类标准。

采取选用低噪声设备、合理布局、基础减振、消声、厂房隔声等措施

经监测厂界噪声符合《工业企业厂界噪声标准》（12348-2008）3类标准。

表4 地下水污染治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

根据项目区域各生产功能单元是否可能对地下水造成污染，将项目区域划分为污染重点防渗区、一般防渗区和简单防渗区。清洗线、危废库、污水处理站、化学品仓库划分为重点防渗区，车间内其他区域划分为一般防渗区，办公区域划分为简单防渗区

清洗线、危废库防渗措施为250mmP6等级抗渗混凝土基础+1.5mm厚度聚脲防水涂料层。污水处理站防渗措施为HDPE膜+250mmP6等级抗渗混凝土基础。车间内其他区域防渗措施为250mmP6等级抗渗混凝土基础。其他区域为一般地面硬化

表5 固废治理设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

建设1座一般固废仓库建筑，面积20m2；建设1座危险废物暂存间，建筑面积48m2。生活****园区环卫部门清运处理，一般工业固废暂存于一般固废仓库，****公司回收再利用，危险废物暂存于危险废物暂存间

本项目一层西北角**一座面积为20m2的一般固废贮存库，在项目一层东北侧**一座面积为48m2的危废暂存间，危废暂存间用采用抗渗混凝土+环氧树脂防渗，四周设置导流槽和收集井。设置了标志牌和公示牌。公司建立了相关固废管理制度。

表6 生态保护设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

无

表7 风险设施

序号环评文件及批复要求验收阶段落实情况是否落实环评文件及批复要求

按要求编制突发环境事件应急预案、配备必要的应急装备，储备必要的风险应急物资。

已按要求编制突发环境事件应急预案、已配备必要的应急装备，储备必要的风险应急物资，设有一座180立方米事故池（20m*3m*3m）。

5、环境保护对策措施落实情况

依托工程